DSAI 130A 3BSE018292R1

Description

DSAI 130A 3BSE018292R1控制C3家族对于宽带隙技术的使用碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。凭借其卓越的电气性能，这些材料能够在电机控制中实现更高的开关频率和增强的效率能量变换系统。然而，这种性能要求快速、精确的控制环路——PSOC控制MCU通过其高速架构和专用外设解决了这一问题。

DSAI 130A 3BSE018292R1控制平台的一个重要特征是它与英飞凌新的ModusToolbox生态系统，它通过针对电机控制应用的专用工具来增强平台。Motor Suite为开发人员提供了用于参数调整和系统评估的交互式图形界面。通过简化设置和调试，这些工具可以加快复杂电机控制解决方案的开发时间。

DSAI 130A 3BSE018292R1主线器件支持高达180 MHz的时钟速度，集成数字信号处理器(DSP)和浮点单元(FPU)，有助于功率转换应用中的高分辨率控制。MCU还包括精度低于100 ps的高分辨率脉宽调制器(HRPWMs ),以产生利用SiC和GaN晶体管优势所需的精确输出波形。

先进的模拟处理能力，如以12 MSPS工作的12位SAR ADC和多达16个通道的并行采样，允许对电流和电压测量进行精确的实时数据采集。这些特性共同提高了系统效率，降低了高速电机驱动和电源设计的能量损耗。