Description
PFSK152 3BSE018877R1 发布了第四代碳化硅(SiC)MOSFET技术。该公司对第四代技术进行了多项架构改进，据报道，为高功率应用树立了新的能效、热性能和系统可靠性基准。
PFSK152 3BSE018877R1 声称第四代MOSFETs实现导通电阻温度降低21 %( RDS(开))，提高常见的各种负载的传导效率工业电机驱动。在硬开关应用中，如牵引逆变器和有源前端转换器，该技术可将开关能量损耗(E在/E离开).更高的规格意味着更高的开关频率，从而实现更轻、更紧凑的设计。
PFSK152 3BSE018877R1 还具有优化的特性体二极管显著降低反向恢复损耗和电磁干扰。这些器件在开关事件期间的电压过冲降低了75%。Wolfspeed还表示，这些设备比第三代同类产品更加可靠;它们可以承受高达200°C的结温，并且宇宙线及时失效(FIT)率提高了100倍。同时，其2 ms短路耐受时间增强了容错能力。
第四代产品封装最小化寄生电感更干净的开关和更高的功率密度。双面冷却和铜夹互连等附加功能增强了热管理和机械可靠性。
Reviews
There are no reviews yet.