VM600 CPUM 200-595-067-114

Description

一个VM600 CPUM 200-595-067-114 是一种半导体，结合了MOSFET的快速开关能力和双极结型晶体管(BJT)的高电流能力。IGBTs广泛应用于电力电子领域，逆变器，以及电力供应，提供对大型电力负载的有效控制。

VM600 CPUM 200-595-067-114 是专为太阳能逆变器设计的。模型MBQA75T120RFS与传统的TO-247封装相比，采用带有宽散热器的TO-247PLUS封装来改善散热。散热器将来自半导体的热量分散到更大的区域，有效地减少热点并增强热管理，从而提高元件性能和可靠性。此外，该封装的设计功耗降低了14%传导损耗超过了它的前身.

该器件还集成了一个快速恢复反并联二极管，可快速消除残余电流，从而降低开关损耗，并实现175°c的最高工作结温。据Magnachip称，IGBT的性能足以用一个器件取代两个40 A IGBTs。

VM600 CPUM 200-595-067-114 用于人工智能手机的MOSFETs

VM600 CPUM 200-595-067-114 发布了它的第八代MXT低压MOSFET，专为智能手机设计电池保护电路.

VM600 CPUM 200-595-067-114 的主要架构进步是引入了超短沟道FET II (SSCFET II)技术。这项技术有效地缩短了沟道长度，直接影响MOSFET的导通电阻，从而显著提高效率并减少发热。在这次迭代中，与上一代产品相比，导通电阻降低了约22%。