GE FANUC IC698CHS009A

Description

GE FANUC IC698CHS009A 的另一个挑战是实现高效双向操作使用硅MOSFETs。一种典型的方法是采用背靠背MOSFET配置，使电流能够双向流动。在这种设置中，两个MOSFETs串联放置，但方向相反，可以控制充电和放电路径。然而，这种布置会增加复杂性和电阻，因为每个MOSFET都会增加总导通电阻。增加的电阻限制了电流并产生额外的热量，降低了整体效率，并且经常需要额外的冷却部件.

GE FANUC IC698CHS009A 开发了INV100FQ030A，一款用于BMS架构的100 V额定电压双向晶体管。

GE FANUC IC698CHS009A 是一种GaN-on-silicon增强型器件，可提高效率和性能。与硅解决方案相比，GaN半导体具有更宽的带隙(3.4 eV)，这使得它们能够处理更高的电压和温度。同时，由于该材料具有更高的电子迁移率支持，这些器件表现出更低的电阻以减少传导损耗，并提供更快的开关速度以最小化开关损耗。例如，INV1000FQ030A晶体管的动态导通电阻仅为3.2mΩ，封装在紧凑的4x6mm外形中。

值得注意的是，GE FANUC IC698CHS009A 消除了对双背对背硅MOSFETs的传统要求，因为它采用了支持双向开关功能的共漏极配置。双向晶体管支持多种工作模式，包括双向通过、双向截止和无反向恢复模式，从而能够在单个元件内支持电池充电和放电操作。