Description
ABB GVC750BE101 的第三代1200 V碳化硅(SiC)MOSFET QSiC 1200V基于以前的设计，芯片尺寸缩小了20%，开关损耗更低，效率更高。该MOSFET设计用于电动汽车充电、可再生能源、工业电源和电机驱动，具有更好的热性能，更易于集成到现有系统中。
ABB GVC750BE101 具有更低的总开关损耗(1646 J)、更长的爬电距离(9 mm)和更优化的栅极驱动电压(-4 V至+18 V)，可在大功率应用中提供强大的性能。
ABB GVC750BE101 将其第三代MOSFET的芯片尺寸减少了20%,同时保持不变导通电阻在不牺牲性能的情况下增加晶片产量。同时，470 nC的较低反向恢复电荷得到改善电磁干扰(Electro-Magnetic Interference)ˌ电子乐器工业(Electrical Music Industry)ˌ百代唱片(Electrical And Musical Industries.Ltd)性能和交换速度，有助于提高效率。与上一代相比，第三代MOSFET的栅极电荷，这导致开关损耗略有增加。然而，这被其他效率收益所抵消。
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