MV6100COMI 高速电压源和电流测量灵敏度使其非常适合 CMOS 器件表征

Description

MV6100COMI

MV6100COMI表征化合物半导体器件和材料。4225-PMU 型可用于表征 III-V 族材料，例如氮化镓 (GaN)、砷化镓 (GaAs) 和其他化合物半导体。它允许设置脉冲偏移电压，以便可以从非零值进行测量，以研究设备的放大器增益或线性度。NBTI/PBTI 可靠性测试。可选的 4200-BTI-A 型超快速 BTI 套件结合了实施所有已知 BTI 测试方法所需的所有硬件和软件，以及可用的最快、最灵敏的测量。此外，自动表征套件 (ACS) 软件支持完整的晶圆级和晶圆盒级自动化，并包括带有易于使用的 GUI 的 NBTI/PBTI 测试库。

MV6100COMI包括：

• 通用超快速 IV 测量。脉冲 IV 测试具有广泛的用途，包括通过使用窄脉冲和/或低占空比脉冲而不是直流信号来防止设备自加热。
• CMOS 器件表征。4225-PMU/4225-RPM 的高速电压源和电流测量灵敏度使其非常适合 CMOS 器件表征，包括高 K 器件和绝缘体上硅 (SOI) 等先进 CMOS 技术。
• 非易失性存储设备测试。该系统的 KTEI 软件包括用于测试闪存和相变存储器 (PCM) 设备的工具包。该系统非常适合测试单个存储单元或小型阵列，例如研发或工艺验证。